Simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio

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dc.creator Mancardo Viotti, Agustin Matias
dc.creator Bea, Edgar Alejandro
dc.creator Carusela, María Florencia
dc.creator Monastra, Alejandro Gabriel
dc.creator Soba, Alejandro
dc.date.accessioned 2025-06-19T15:15:52Z
dc.date.available 2025-06-19T15:15:52Z
dc.date.issued 2018
dc.identifier.citation Mancardo Viotti, A. M., Bea, E. A., Carusela, M. F., Monastra, A. G. y Soba, A. (2018). Simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio. Mecánica Computacional, 36(47), 2179-2187.
dc.identifier.issn 0927-7951
dc.identifier.uri http://repositorio.ungs.edu.ar:8080/xmlui/handle/UNGS/2254
dc.description Revista con referato
dc.description Fil: Carusela, María Florencia. Universidad Nacional de General Sarmiento. Instituto de Ciencias; Argentina.
dc.description Fil: Carusela, María Florencia. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina.
dc.description Fil: Mancardo Viotti, Agustin Matias. Universidad Nacional de General Sarmiento. Instituto de Ciencias; Argentina.
dc.description Fil: Bea, Edgar Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina.
dc.description Fil: Monastra, Alejandro Gabriel. Universidad Nacional de General Sarmiento. Instituto de Ciencias; Argentina.
dc.description Fil: Soba, Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina.
dc.description.abstract En este trabajo se calcula la conductividad térmica de una nanoestructura de silicio sometida a un gradiente térmico, en una situación de no-equilibrio termodinámico. El sistema se simula a través de dinámica molecular, utilizando dos modelos para los potenciales interatómicos: i) un potencial clásico empírico Tersoff-Brenner; ii) un potencial Tight-Binding semi-empírico. Para el primer caso se recurre al software libre LAMMPS y para el segundo se desarrolla un código. En este caso se analiza en detalle la eficiencia de distintas rutinas para la diagonalización de matrices, necesaria para calcular las fuerzas interatómicas, así como la utilización de diferentes modos de paralelización. Se presenta un detallado estudio de la eficiencia del código desarrollado.
dc.description.abstract We calculate the thermal conductivity of a Silicon nanostructure subject to a temperature gradient, in a non equilibrium thermodynamical state. We simulate the system by molecular dynamics using two models for the interatomic potentials: i) an empirical classical Tersoff-Brenner potential; ii) a semiempirical Tight-Binding potential. For the first case we use the free software LAMMPS and for the second we develop a code. In this last case we analyze the performance of the different routines used for diagonalizing matrices, necessary to compute the interatomic forces and we discuss the different parallelization implementations. We present a detailed study of the efficiency of the implemented code.
dc.description.abstract Calculamos a condutividade térmica de uma nanoestrutura de silício sujeita a um gradiente de temperatura, em um estado termodinâmico fora do equilíbrio. Simulamos o sistema por dinâmica molecular usando dois modelos para os potenciais interatômicos: i) um potencial clássico empírico de Tersoff-Brenner; ii) um potencial semiempírico de ligação estreita. Para o primeiro caso, utilizamos o software livre LAMMPS e, para o segundo, desenvolvemos um código. Neste último caso, analisamos o desempenho das diferentes rotinas utilizadas para a diagonalização de matrizes, necessárias para calcular as forças interatômicas, e discutimos as diferentes implementações de paralelização. Apresentamos um estudo detalhado da eficiência do código implementado.
dc.format application/pdf
dc.language spa
dc.publisher Asociación Argentina de Mecánica Computacional
dc.rights info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.source Mecánica Computacional. Dic. 2018; 36(47): 2179-2187
dc.source.uri https://cimec.org.ar/ojs/index.php/mc/issue/view/979
dc.subject Silicio
dc.subject Nanoestructura
dc.subject Dinamica Molecular
dc.subject Potencial Tight Binding
dc.subject Potencial Tersoff-Brenner
dc.subject Analisis de Eficiencia
dc.subject Conductividad Termica
dc.subject Silicon
dc.subject Nanostructure
dc.subject Molecular Dynamics
dc.subject Tight Binding Potential
dc.subject Tersoff-Brenner Potential
dc.subject Efficiency Analysis
dc.subject Thermal Conductivity
dc.subject Silício
dc.subject Nanoestrutura
dc.subject Dinâmica molecular
dc.subject Potencial de ligação forte
dc.subject Potencial de Tersoff-Brenner
dc.subject Análise de eficiência
dc.subject Condutividade térmica
dc.subject.classification Nanotecnología
dc.subject.classification Física de los Materiales Condensados
dc.subject.classification Ciencias Físicas
dc.title Simulación del transporte de calor en nanoestructuras de silicio
dc.type info:eu-repo/semantics/article
dc.type info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type info:eu-repo/semantics/publishedVersion


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